Samsung выпускает первый встраиваемый накопитель объемом 256 ГБ, соответствующий спецификации UFS 2.0
Сегодня компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых накопителей объемом 256 ГБ, соответствующих спецификации UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Эти накопители предназначены для следующего поколения мобильных устройств высокого уровня. Как утверждается, новинки предлагают мобильным устройствам более высокую производительность, чем у SSD с интерфейсом SATA для настольных ПК.
Основанная на передовых чипах флэш-памяти 3D V-NAND и специальном высокопроизводительном контроллере память UFS 2.0 демонстрирует производительность до 45 000 и 40 000 IOPS на операциях чтения и записи с произвольным доступом, превосходя предыдущее поколение памяти (19 000 и 14 000 IOPS) более чем вдвое. По скорости передачи данных в режиме последовательного чтения Samsung UFS 2.0 приблизительно вдвое превосходит существующие накопители SSD с SATA-интерфейсом для ПК, передавая данные по двум каналам со скоростью 850 МБ/с. Что касается последовательной записи, скорость передачи данных достигает значения 260 МБ/с, что примерно втрое выше по сравнению со сменными картами памяти micro SD.
Благодаря столь высоким скоростным характеристикам обеспечивается плавное воспроизведение видео Ultra HD и функции многозадачности на устройствах с большими экранами, например, разделения экрана на две части для одновременного просмотра фильмов 4K Ultra HD и поиска изображения в сети или загрузки видеороликов.
Производитель также отмечает, что с появлением следующего поколения смартфонов с интерфейсом USB 3.0 пользователи смогут передавать данные между устройствами гораздо быстрее – видеофайл формата Full HD объемом 5 ГБ (типичный фильм длительностью 90 мин) посредством USB 3.0 можно будет передать за 12 с.
Немаловажно, что новые накопители Samsung UFS 2.0 занимают столько же места, как и нынешние карты micro SD, обеспечивая дополнительную гибкость конструкторам мобильных устройств.
Компания Samsung особо акцентирует внимание на том, что на удваивание объема памяти накопителей UFS ей потребовалось всего год. Напомним, модели объемом 128 ГБ были анонсированы в феврале прошлого года. В будущем компания планирует и дальше расширять линейки устройств хранения информации высшего уровня, основанных на памяти 3D V-NAND, и увеличивать объемы производства по мере роста спроса.
